SEMI "올해 반도체 제조장비 투자 1100억 달러…전년比 2%↑"

6년 연속 증가…내년엔 18% 증가한 1300억 달러
중국, 투자 정점 찍고 축소…중국 한국 대만 미국 순

본문 이미지 - SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장(SK하이닉스 뉴스룸) ⓒ News1 최동현 기자
SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장(SK하이닉스 뉴스룸) ⓒ News1 최동현 기자

(서울=뉴스1) 박주평 기자 = 올해 전 세계 반도체 제조장비 투자가 전년 대비 2% 증가해 1100억 달러를 넘을 것이라는 전망이 나왔다. 중국의 투자 규모는 지난해 정점을 찍고 감소하지만 여전히 세계 1위 투자국에 자리할 것으로 예상된다.

27일 국제반도체장비재료협회(SEMI)의 전 세계 팹 전망 보고서에 따르면 올해 글로벌 반도체 제조장비투자는 6년 연속 증가하며 전년 대비 2% 성장한 1100억 달러에 이를 전망이다.

내년에는 팹 장비 투자액 규모가 18% 증가해 1300억 달러에 이를 것으로 예상됐다. 이런 장비 투자액 증가는 고성능 컴퓨팅(HPC)의 수요 증가와 데이터센터 확장을 위한 메모리 부문의 수요 증가, 엣지 디바이스를 위한 인공지능(AI) 기술의 확대가 주도하는 것으로 분석된다.

아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 "올해와 내년 약 50개 신규 팹이 가동될 것으로 예상하며, 이에 필요한 인력 확보도 시급한 문제"라고 강조했다.

로직 반도체 부문에 대한 팹 투자가 올해 11% 증가한 520억 달러를 기록하고, 내년에는 14% 늘어나 590억 달러에 육박할 전망이다. 2나노미터(nm) 공정과 내년 양산에 돌입할 것으로 보이는 백사이드 파워 딜리버리(Backside Power Delivery, BPD) 등 최첨단 기술에 대한 투자가 성장세를 견인할 것으로 보인다.

전체 메모리 반도체 장비 부문의 투자는 향후 2년간 계속 늘어날 것으로 올해는 전년 대비 2% 증가한 320억 달러를 기록하고, 내년 증가율은 27%로 더 가팔라질 것으로 예상된다.

D램 부문 투자는 올해 전년 대비 6% 감소한 210억 달러를 기록하지만, 내년에는 19% 반등해 250억 달러에 이를 전망이다. 반면 낸드 부문은 올해 54% 급증해 100억 달러를 기록하고 내년에는 47% 추가로 증가해 150억 달러에 도달할 것으로 예상된다.

중국은 지난해 500억 달러의 팹 투자로 정점을 찍은 이후 투자 규모가 감소하지만, 여전히 글로벌 반도체 팹 장비 투자에서 가장 큰 비중을 차지할 것으로 예상된다. 올해 중국의 투자액은 전년 대비 24% 감소한 380억 달러로 예상되며, 내년에는 5% 하락한 360억 달러를 기록할 전망이다.

국내 반도체 업계는 AI 기술의 확산과 이에 따른 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 설비 투자를 늘릴 계획이다. 한국의 팹 반도체 장비 투자는 올해는 전년 대비 29% 증가한 215억 달러, 내년에는 26% 늘어난 270억 달러를 기록해 투자 규모 기준 글로벌 2위를 유지할 것으로 예상된다.

대만은 자국 반도체 제조업체들이 첨단 기술과 생산 역량 강화를 목표로 함에 따라 올해 210억 달러, 내년 245억 달러로 글로벌 투자 규모 3위 자리를 지킬 것으로 보인다. 이어 미국, 일본, 유럽·중동, 동남아 순으로 투자가 이뤄질 전망이다.

jupy@news1.kr

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