(서울=뉴스1) 서한샘 기자 = 삼성전자 반도체 핵심 기술 해외 경쟁기업 유출 사건을 수사해 온 검찰이 공범 1명의 신병을 추가로 확보했다. 앞서 이 사건으로 구속 기소 된 전직 삼성전자 임원은 1심에서 징역 7년을 선고받은 바 있다.
16일 법조계에 따르면 서울중앙지법은 지난 14일 산업 기술 유출 방지 및 보호에 관한 법률 위반 혐의를 받는 삼성전자 전 직원 A 씨의 구속 영장을 발부했다. 검찰이 함께 구속영장을 청구한 또 다른 삼성전자 전 직원 B 씨의 구속영장은 절차상 문제를 이유로 기각된 것으로 알려졌다.
검찰은 지난해 1월 삼성전자 전직 부장 김 모 씨 등 5명을 재판에 넘긴 뒤 남은 공범들의 혐의를 수사해 왔다. A·B 씨는 김 씨와 함께 기술 유출 작업에 가담한 혐의를 받는 것으로 전해졌다.
김 씨는 국가 핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 반도체업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)에 넘긴 혐의로 재판에 넘겨져 지난 2월 1심에서 징역 7년과 벌금 2억 원을 선고받았다. 현재는 2심 재판을 앞두고 있다.
당시 재판부는 "김 씨는 국가 핵심기술에 해당하는 삼성전자 18나노 D램 공정 정보를 부정 취득해 공개·누설·사용하는 데까지 나아갔다"며 "건전한 경쟁을 심각히 저해하고 피해 회사의 막대한 시간과 비용을 헛되게 할 뿐 아니라 실제로 대한민국 국가산업 경쟁력에 큰 악영향을 줄 수 있는 중대 범죄"라고 지적했다.
saem@news1.kr
