잔류물 없는 대면적 단일층 MoS₂-FET 제조.(IBS 제공)/뉴스1이영희 IBS 나노구조물리 연구단장관련 키워드기초과학연구원IBS반도체고집적차세대반도체김태진 기자 NST·출연연 기관장, 대전현충원 참배 후 여객기 사고 희생자 추모서천군, 청년 취업 지원 확대…45세까지 대상관련 기사기초과학연·일본 이화학연, 우주 원소 기원 규명 연구 본격화원자력연, 경주 양성자가속기 24시간 운영…반도체·항공우주 활용 증가기초연 "차세대 극소형 반도체 소자 구현 성공"기초연, 1기압서 다이아몬드 생산 성공…세계 처음문신처럼 얇은 전자회로로 '뇌-컴퓨터 인터페이스' 구현
