![<strong> </strong>SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 ‘AI시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다. (SK하이닉스 제공)](/_next/image?url=https%3A%2F%2Fi3n.news1.kr%2Fsystem%2Fphotos%2F2024%2F5%2F2%2F6628966%2Fhigh.jpg&w=1920&q=75)
(이천=뉴스1) 강태우 기자 = 인공지능(AI) 반도체 시장을 이끄는 SK하이닉스(000660)가 지난해보다 올해 AI 시장은 더욱 빠르게 성장할 것으로 내다봤다. 제품 경쟁력을 바탕으로 AI 반도체 핵심인 HBM(고대역폭메모리) 매출은 올해까지 20조 원을 넘어설 것으로 예상된다.
김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 2일 경기 이천캠퍼스 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 "지난해는 AI 메모리 시장의 태동기로 전체 D램 가운데 HBM 등 AI향 제품의 시장 규모는 5% 수준이었다"며 "2028년까지 이 비중은 61%로 늘어날 것"이라고 말했다.
그러면서 "(지금은) AI향 메모리의 수요가 끊임없이 늘어나고 있고 수급도 상당 부분 개선되면서 수익성이 확대되는 초입 단계에 있다고 본다"며 "결론적으로 (우리 같은) 공급업자에게 우호적인 상황이 계속되고 있고 올해 시장은 상당히 긍정적으로 말씀드릴 수 있다"고 강조했다.
SK하이닉스는 올해 1분기 매출액 12조 4296억 원, 영업이익 2조 8860억 원을 기록하며 '깜짝 실적'을 냈다. 특히 영업이익은 5개 분기 만에 흑자전환에 성공했던 4분기(3460억 원)보다도 약 8배 이상 오른 수치로 최대 호황기였던 2018년 이후 두 번째다.
SK하이닉스의 관측대로라면 올해 이후로도 AI 반도체 시장은 지속 성장하고, 회사의 실적도 더 좋아질 것으로 보인다.
특히 앞으로도 HBM 등 AI 메모리가 핵심 역할을 할 것으로 예상된다. 지난해 4분기 HBM 매출이 전년 대비 5배 늘어난 데 이어, 올해 1분기 D램 내 HBM의 매출 비중은 20%에 육박한 것으로 추정된다. 올 연말에는 40% 수준까지 확대될 것으로 보인다.
SK하이닉스에 따르면 올 1분기 D램 매출은 7조 5823억 원이다. 단순 계산하면 이 중 1조 5000억 원이 HBM에서 발생한 셈이다. 올해는 타이트한 수요를 바탕으로 HBM 매출만 3조 원에 이를 것이란 전망도 나온다. 누적 매출액은 20조 원 수준으로 추정된다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 이날 "HBM 생산 측면에선 저희 제품은 올해도 이미 솔드아웃이지만 내년에도 대부분 솔드아웃이 됐다"며 "딱 집어 말씀은 못 드리겠지만 저희의 (2016~2024년까지 HBM의) 누적 매출액은 약 130억~170억 달러(18조~23조 원) 수준이 될 것"이라고 밝혔다.
![SK하이닉스가 2일 오전 이천 본사에서 기자간담회를 진행했다. (왼쪽부터) 류병훈 부사장(미래전략 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 김영식 부사장(제조기술 담당), 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO), 김종환 부사장(D램개발 담당). (SK하이닉스 제공)](https://image.news1.kr/system/photos/2024/5/2/6628970/high.jpg/dims/optimize)
AI 메모리 시장에서 당분간 HBM은 공급 과잉이 아닌 부족 상태가 이어질 전망이다. SK하이닉스는 초격차 기술, 캐파(생산능력) 확대, 글로벌 업체와 협력 등으로 적극 대응한다는 전략이다.
곽 사장은 "당사는 HBM, TSV(실리콘관통전극) 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD(기업용 솔리드스테이트드라이브) 등 메모리 제품별 업계 최고의 기술 리더십을 확보했다"며 "리더십을 확고히 하기 위해 세계 최고 성능 HBM3E 12H 제품 샘플을 이달부터 제공하고 3분기 양산 가능하도록 준비 중"이라고 강조했다.
캐파 확대를 위한 청주 M15x, 용인 클러스터, 미국 어드밴스드 패키징 시설 설립도 계획대로 순항 중이다. <strong>
</strong>
M15x는 연면적 약 21만㎡(6만 3000평) 규모의 복층 팹(공장)으로 EUV(극자외선)를 포함한 HBM 일괄 생산 공정을 갖출 예정이며 내년 11월 준공 후 2026년 3분기부터 본격 양산에 들어간다. 또 185만㎡(56만 평) 회사 부지에 팹 4기를 순차적으로 이곳에 구축할 계획이다. 용인 클러스터 SK하이닉스 첫 팹은 2025년 3월 공사 착수, 2027년 5월 준공 예정이다.
김영식 SK하이닉스 제조기술 담당 부사장은 "1기 팹은 그 시점에 생산할 D램 제품을 기준으로 설계를 하고 있으며 그 다음 이뤄지는 2, 3기는 시장 수요에 맞춰 어떻게 공급할 것인지에 맞춰 진행할 것"이라며 "TSV를 포함한 패키지 생산은 용인에서 생각하고 있지는 않다"고 전했다.
캐파 확대와 함께 HBM에서 핵심 기술로 꼽히는 패키징 역량 강화에도 나선다. 지난달 초 SK하이닉스는 38억 7000만 달러(약 5조 원)를 투자해 미국 인디애나주에 패키징 생산시설을 설립한다는 계획을 발표한 바 있다.
최우진 SK하이닉스 P&T(패키지&테스트) 담당 부사장은 "미국 인디애나주 공장은 2028년 HBM4(6세대) 양산을 목표로 추진 중이다. 어드밴스드 패키지와 R&D 라인 구축도 생각하고 있다"며 "자사 US 사이트는 팹리스(설계), CSP(클라우드서비스기업) 등 다양한 고객과 협력을 강화해 AI 메모리 주도권 강화를 위한 교두보로서 역할을 수행할 예정"이라고 했다.
세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 대만 TSMC와의 협업 사안도 언급했다. 김영식 부사장은 "HBM4부터는 성능, 효율을 최대로 끌어올려야 하는 난제에 봉착했다"며 "이를 해결하기 위해 로직 공정에서 TSMC와 협력하는 등 지금까지 보다는 훨씬 깊은 수준의 기술 교류가 이뤄질 것"이라고 설명했다.
burning@news1.kr