(서울=뉴스1) 김민성 기자 = 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)의 내년 반도체 사업 전략은 '선택과 집중'으로 요약된다. HBM(고대역폭메모리) 중심으로 설비투자·공급 비중 확대에 포커스를 맞추고, 불황을 겪고 있는 낸드플래시는 당분간 감산 기조를 유지해 수익성을 방어하겠다는 것이다.
8일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 HBM 공급 역량을 올해 대비 2.5배 이상 확보할 계획이다.
이를 위해 패키징 거점인 천안 사업장에 HBM 양산을 위한 패키징 라인을 신설할 예정이다. HBM을 주문한 고객사에 첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키(일괄 생산) 서비스를 제공하는 것이 목표다.
삼성전자는 올해 시설투자에만 역대 최대인 53조7000억원을 쏟아붓는다. 특히 올 4분기와 내년 상반기까지 HBM 중심의 설비투자가 이어질 것으로 보인다.
삼성전자 메모리사업부 설비투자의 상당 부분이 HBM에 투입될 가능성이 높다. 대규모 투자를 통해 확보한 '규모의 경제'로 삼성전자는 그간 시장에서 원가 우위를 점해왔다. 이 같은 성공 방정식을 HBM에도 적용하겠다는 것이다.
이뿐만 아니라 파운드리 경쟁력 강화를 위해 최첨단 공정인 GAA(게이트-올-어라운드) 3나노미터(nm) 및 2나노 기술을 업그레이드 하는 데 집중할 전망이다.
SK하이닉스도 수요가 폭발적으로 늘어나고 있는 HBM에 초점을 맞췄다. 세계 최초로 개발한 HBM3E 등 경쟁사를 선도하는 기술을 바탕으로 HBM 시장 점유율을 키워가겠다는 것이다.
다만 삼성전자와 달리 신규 설비투자를 통한 생산능력 증설보다는 기존 라인의 공정 전환을 통해 생산성을 높이는 데 초점을 맞춘다. 특히 내년 수요 성장을 주도할 HBM3, DDR5 등 고부가 제품 생산 확대를 위해 선단 공정 전환에 힘쓸 예정이다.
상대적으로 삼성전자에 비해 자금 사정이 좋지 않은 만큼 시설투자보다는 공정전환 등 신기술 개발에 주력하는 모습이다.
삼성전자와 SK하이닉스 모두 재고 수준이 여전히 높은 낸드를 비롯해 저수익 제품을 중심으로 생산량 조정에 집중할 방침이다. D램 업황이 개선되고 있는 만큼 낸드는 감산 기조를 유지하며 메모리 반도체의 '업턴'(반등)을 노리겠다는 전략이다.
김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 3분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "D램 대비 낸드 생산 하향 조정 폭을 상대적으로 당분간 더 크게 유지할 예정"이라고 말했다. 박찬동 SK하이닉스 낸드마케팅 담당도 "원가 절감의 제약을 극복하고 수익성을 향상하기 위해 평균판매단가(ASP)가 높은 프리미엄 제품 라인업을 강화할 것"이라고 말했다.
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