(서울=뉴스1) 강태우 기자 = DB하이텍(000990)은 최근 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드했다고 27일 밝혔다. 이를 바탕으로 전력반도체 사업을 본격화한다는 계획이다.
초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 역할을 하는 '게이트 드라이버(Gate Driver) IC'의 설계·제조를 지원한다.
업계에 따르면 전력반도체 IC 시장의 8%를 차지하고 있는 게이트 드라이버 IC 시장은 지난해부터 2027년까지 연평균 109% 성장할 것으로 전망되며 수요 역시 대폭 증가할 것으로 예상된다.
이번 공정 기술 강화로 DB하이텍은 게이트 드라이버 IC에서 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공한다.
이를 통해 고객들은 칩 설계가 용이한 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 절연 각각의 장점을 살릴 수 있다.
DB하이텍은 오는 2024년 1월 게이트 드라이버 IC 시장에서 10%로 가장 큰 비중을 차지하는 가전분야에 최적화된 600V급 공정을 제공할 계획이다. 아울러 연내 전동킥보드 및 전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기 및 공업용 1200V급 공정까지 순차적으로 확보할 예정이다.
DB하이텍은 "향후 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전 영역대에 대한 공정 기술을 확보하면서, 응용분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것"이라고 밝혔다.
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