정창욱 한국외대 전자물리학과 교수 © 뉴스1

한국외국어대학교는 정창욱 전자물리학과 교수(사진)가 금속산화물인 'SrFeOx'에서 발생하는 저항스위칭 메모리 현상에 대한 메커니즘을 밝히는 데 성공했다고 5일 밝혔다.

저항스위칭 기억소자는 기존 메모리인 DRAM, SRAM, FLASH에 비해서 집적화, 동작스피드, 비휘발성 등 여러 가지 면에서 매우 큰 장점을 가진 보편적 메모라(Universal memory)로 기대되고 있다. 저항스위칭 기억소자는 가장 최근에 주목받고 있는 뇌 모방 정보처리와 관련해서도 핵심 부분을 차지하고 있다.이번 연구 결과는 국제저명학술지(SCI) 중에서도 상위 1%에 들어가는 '어드밴스드 머티리얼즈'(Advanced Materials)에 지난달 게재됐다. 논문에서는 저항스위칭 기억소자 특성을 발견할 당시 제안했던 스위칭의 근본 작동원리를 나노 수준에서 규명했다.

한국연구재단의 중견연구자 지원사업의 지원을 받아 연구한 결과다. 독일 아헨공대의 R. Dittmann 교수와 R. Waser 교수, 김미영 서울대 교수와 공동연구했다. 정 교수는 교신저자로 참여했고 한국외대 박사과정 중인 Raveendar학생이 제1저자이다.


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