원하는 위치에 이황화 몰리브데늄 합성 방법© News1

기초과학연구원(IBS)은 11일 나노구조물리연구단 연구팀이 차세대 반도체 소재 합성 기술을 개발했다고 밝혔다.

연구진은 이황화몰리브데늄 합성 시 필요한 산화몰리브데늄을 특정 위치에 증착하는 한편 성장 촉진제를 이용, 양질의 입자를 지닌
황화몰리브데늄막을 원하는 위치에 합성하는 기술을 개발했다.이황화몰리브데늄은 원자 수준의 얇은 막으로 차세대 나노소재로 각광받고 있는 물질이다. 구조적으로 그래핀과 유사하지만 자체적인 에너지 밴드갭이 있어 반도체 특성을 뚜렷하게 보인다는 특징이 있다.

연구진은 기존 물질 합성 방식의 한계를 뛰어넘었다는 점과  반도체 산업의 핵심 기술인 양질의 물질을 원하는 위치에 합성할 수 있는 방법론을 제시했다는데 의미를 두고 있다.

연구팀은 이황화몰리브데늄을 활용해 향후 태양전지, 휘는 디스플레이, 투명 전자소자 등 다양한 광·전자소자 영역에 응용될 것으로 예상했다.IBS 나노구조물리연구단과 미국 펜실베이니아대학교의 공동연구로 수행된 이번 연구결과는 과학기술분야의 권위지인 네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications, IF 10.742)에 지난달 28일자 온라인 게재됐다.


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