'반도체 기술 中 유출' 삼성전자 전직 연구원 구속기로…영장심사

(서울=뉴스1) 이기범 기자 = 반도체 기술 유출 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원이 구속 갈림길에 섰다.

서울중앙지법 이민수 영장전담 부장판사는 16일 오전 10시30분 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 혐의로 전 삼성전자 연구원 A씨의 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)을 시작한다.

A씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술 코드명 '볼츠만'을 중국의 반도체 업체 청두가오전에 넘긴 혐의를 받는다.

A씨는 공정도를 자체적으로 만든 것이라고 주장했지만 경찰은 해당 공정도를 삼성전자의 기술로 판단하고 있다.

청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장까지 지냈던 최모씨가 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 세운 회사다.

경찰은 청두가오전이 200명에 달하는 국내 반도체 인력을 빼간 정황도 포착해 수사를 확대하고 있다.

서울경찰청 안보수사대는 앞서 15일 A씨에 대한 구속영장을 신청했다.

Ktiger@news1.kr