[IR]SK하이닉스 "기술 변화 많은 HBM4, 파운드리와 원팀으로 개발"

(서울=뉴스1) 박주평 기자 = SK하이닉스(000660)는 24일 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 6세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM4와 관련해 "I/O(입출력 단자) 개수가 두 배 늘고, 저전력 성능을 위한 새로운 스킴(Scheme) 적용, 첫 로직파운드리 활용 등 기술적으로 많은 변화가 예상된다"며 "따라서 기존의 테스트 범위를 넘어서 깊이 있는 기술 교류가 필요하고 파운드리 파트너사와 원팀 체계를 구축해 협업을 진행하고 있다"고 밝혔다.

이어 "빠르게 발전하는 인공지능(AI)향 반도체 기술 속도에 맞춰서 차세대 제품을 적기에 공급하는 것이 앞으로 HBM 시장에서 주도권을 확보하는 핵심 요인"이라며 "일반 D램과 달리 HBM은 고객 수요 기반으로 생산을 결정해, 선단공정으로 칩 사이즈를 줄여 원가를 낮추는 것보다 고객의 요구 수준에 맞는 품질을 적기에 안정적으로 공급하는 것이 더 중요하다"고 강조했다.

SK하이닉스는 "HBM은 칩 구조상 셀 영역에 해당하는 면적이 상대적으로 작아 선단공정을 적용해도 칩 사이즈를 줄이는 베네핏(이익)이 제한적"이라며 "안정적 품질의 HBM4를 공급하기 위해 안정성과 양산성이 검증된 1b D램(10나노급 5세대 D램)을 활용하고 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 2025년도 고객 출하를 목표로 하고 있다"고 덧붙였다.

jupy@news1.kr