SK하이닉스, 용인 클러스터 1호 팹서 HBM 만든다…9.4조 투입

(서울=뉴스1) 한재준 기자 = SK하이닉스(000660)가 용인 반도체 클러스터 첫 번째 팹(Fab, 공장) 건설을 위해 9조 4000억 원을 투입한다. 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요가 폭증하는 만큼 이곳에서 고대역폭메모리(HBM)를 생산한다는 방침이다.

SK하이닉스는 26일 이사회를 열어 용인 클러스터 첫 번째 팹과 업무 시설 건설에 약 9조 4000억 원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. 투자 기간은 오는 8월1일부터 2028년 12월31일까지다.

앞서 SK하이닉스는 120조 원을 투자해 용인 클러스터에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4대와 국내외 50여개 소재·부품·장비 기업들과의 반도체 협력단지를 구축한다고 발표했다. 이곳을 글로벌 AI 반도체 생산 거점으로 성장시킨다는 구상이다.

첫 번째 팹은 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다. AI 칩에 필수적인 HBM을 비롯한 차세대 D램 생산라인이 들어선다. SK하이닉스는 완공 시점 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비한다는 방침이다.

이와 함께 SK하이닉스는 첫 번째 팹 내에 국내 소·부·장 중소기업의 기술 개발과 실증·평가를 돕기 위한 '미니팹'을 마련할 예정이다. 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술의 완성도를 높일 수 있도록 지원한다.

김영식 SK하이닉스 제조기술담당 부사장은 "용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장이 될 것"이라며 "대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가경제 활성화에 기여하고자 한다"고 밝혔다.

hanantway@news1.kr