백운규 산업통상자원부 장관이 30일 오전 반도체 분야 민간기업 투자현황과 애로사항을 청취하는 등 업계와의 소통을 이어가기 위해 경기도 이천시 SK하이닉스 이천공장을 방문해 관계자들과 대화를 나누고 있다. (산업통상자원부 제공) 2018.7.30/뉴스1

 
백운규 산업통상자원부 장관은 30일 중국의 반도체 굴기 등 위협 대응 차원에서 "차세대 반도체 기술 확보를 위해 대형 예산사업을 기획하고 있다"고 밝혔다.

백 장관은 이날 SK하이닉스 이천공장, 삼성전자 평택공장을 잇따라 방문해 반도체 분야 민간기업 투자 현황을 점검하고 애로 사항을 듣는 자리에서 이같이 말했다. 백 장관이 언급한 예산사업은 산업부와 과학기술정보통신부에서 각 7500억원씩 모두 1조5000억원을 들여 10년 간 추진하는 '차세대 지능형반도체 연구개발(R&D) 사업'을 말한다.

최근 중국의 반도체산업 1조위안(170조여원) 투자 계획과 메모리 가격하락 등 심상치 않은 반도체 산업 위협 조짐이 일자 대응 차원에서 이뤄지는 정부 사업이다.

백 장관은 "인공지능, IoT(사물인터넷) 등 4차 산업혁명 시대에 필요한 차세대 지능형반도체 기술 확보를 위해 앞으로 10년간 1조5000억원 규모의 대규모 차세대반도체 기술개발사업을 추진하고 있다"고 소개했다.또 "우리 소재·부품·장비 기업이 글로벌 기업으로 성장할 수 있도록 대기업 양산라인에서 2차 성능평가를 검증하는 체계를 마련했고, 전자부품 융합 얼라이언스를 출범시켜서 반도체 수요산업과 시스템반도체 설계전문기업 간 협력체계도 구축했다"고 덧붙였다.

백 장관은 "세계 1위 반도체 강국 위상을 지켜낼 수 있도록 3가지 전략 중 하나로 메모리반도체 분야 세계 1위 수성을 위해 미세화 한계에 도달한 D램, 낸드 등 기존 메모리반도체를 대체하는 차세대 소자와 소재를 개발하겠다"고 말했다.

이어 "두번째 전략으로 4차 산업혁명 시대 새로운 성장동력으로 시스템반도체를 육성하고 팹리스 시스템온칩(SoC) 설계와 파운드리 기업의 제조공정 연계강화를 통해 팹리스와 파운드리 산업이 함께 발전하도록 하겠다"고 말했다.

마지막으로 "글로벌 반도체 소재·장비 기업의 생산라인 국내 유치 확대 등을 통해 글로벌 반도체 제조 허브 국가화를 추진하겠다"며 "투자유치 지원제도를 개편하고 정주여건 개선, 입지·환경 규제개혁도 추진하겠다"고 말했다.

백 장관은 "정부는 민간의 투자가 적기에 이루어질 수 있도록 관련 애로를 적극적으로 해소해 나갈 것"이라며 "민관이 적극적으로 협력해 경쟁국의 추격을 따돌리고 글로벌 1위를 유지해 나가자"고 제안했다.

그러면서 SK하이닉스에 "경영성과를 협력사와 함께 나누는 노력을 지속해달라"고 하고, 삼성에 "최근 발표한 세계 최초 5세대 낸드플래시 양산 및 7나노미터급 파운드리 공정 가동 등 초격차를 유지하려는 노력도 지속해달라"고 백 장관은 당부했다.

이어 그는 "반도체 소재·부품·장비 등 후방산업 육성을 위한 대기업의 성능평가 지원 등 상생협력도 적극적으로 나서달라"고 덧붙였다.

백 장관은 이날 3조원 넘는 건설투자로 80조원의 생산유발과 34만명의 고용창출을 목표로 한 SK하이닉스의 '이천공장 M16라인 투자계획'과  2015년 이후 30조원 규모로 진행 중인 삼성의 투자 등에 감사를 표했다.


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