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삼성전자 "메모리 수요 둔화 없다…D램 증설 안해"

[IR종합]시스템LSI, 10나노 및 이미지센서 투자

(서울=뉴스1) 장은지 기자, 이헌일 기자 | 2017-04-27 12:18 송고 | 2017-04-27 17:32 최종수정
삼성전자가 10일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2016 (Flash Memory Summit)'에서 차세대 V낸드 솔루션을 전격 공개하고, 플래시 메모리의 새로운 가능성을 제시했다고 11일 전했다. (삼성전자 제공) 2016.8.11/뉴스1 © News1 추연화 기자
삼성전자가 10일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2016 (Flash Memory Summit)'에서 차세대 V낸드 솔루션을 전격 공개하고, 플래시 메모리의 새로운 가능성을 제시했다고 11일 전했다. (삼성전자 제공) 2016.8.11/뉴스1 © News1 추연화 기자


지난해 하반기부터 메모리 반도체 슈퍼호황이 이어지고 있는 가운데 삼성전자가 메모리 수요 둔화 가능성이 낮다는 낙관론을 내놓았다. D램 공급부족으로 D램 가격이 강세를 나타내고 있지만, 세계 1위 D램 공급사인 삼성전자는 D램의 추가적인 생산능력 확대는 없다고 못박았다. 18나노(nm) D램 관련 보완투자 정도만 계획 중이다.
삼성전자는 27일 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 메모리반도체 가격 강세로 수요가 위축될 가능성을 묻는 질문에 "스마트폰의 고사양화와 데이터센터 확대 등으로 메모리반도체 수요가 급격히 둔화될 가능성은 높지 않다"며 "시장수급을 면밀히 살펴 탄력적으로 대응하겠다"고 밝혔다.

비수기라 출하량은 줄었지만 가격이 상승하는데다 기기당 메모리반도체 채용량이 늘고 있다. D램 시장은 삼성전자의 독주체제가 강화되고 있다. 삼성전자는 세계 1위를 달리고 있는 반도체 D램 시장에서 지난해 점유율 48%를 기록하며 사상 최고 기록을 갈아치웠다.

삼성전자는 독보적 세계 1위인 18나노 D램과 3D낸드플래시로 시장점유율 1위를 차지하며 돈을 쓸어담았다. 시장의 주문이 밀려들며 없어서 못판다는 말이 나올 정도다. 고사양화된 스마트폰과 노트북, 데이터센터와 자동차 등 수요처에서 주문이 쏟아지고 있다.

시장에서 돌던 D램 증설 루머도 일축했다. 삼성전자는 "D램은 보완증설 및 1X나노(10나노 후반) 보완투자의 수준으로 증설하겠다"며 "추가적인 캐파 증설은 검토 안하고 있다"고 밝혔다. D램 시장은 삼성전자가 세계 시장점유율 1위이기 때문에 삼성전자의 증설 여부가 전체 시장공급에 절대적 영향을 미친다.
올해 연간 D램 시장 빗그로스(메모리 용량을 1비트 단위로 환산해 계산한 메모리 반도체의 생산량 증가율)는 10%대 후반으로 예상된다. 삼성전자의 빗그로스도 시장 성장 수준을 보일 것으로 전망됐다.

삼성전자는 지난해 하반기 이후 이어지고 있는 D램 공급부족으로 올해 1분기 반도체사업에서만 6조3100억원의 영업이익을 내는 등 사상 최대 실적을 달성했다. 1분기 반도체 사업 매출 역시 15조6600억원으로 역대 최대치다. 반도체 사업의 영업이익률은 40%에 달했다.

삼성전자가 세계 최초로 개발해 독주 중인 3D(3차원)낸드플래시 역시 공급부족이 계속되고 있다. 삼성전자는 경기도 평택공장에서 오는 6월 3D낸드플래시 양산에 돌입한다.

전세원 삼성전자 메모리사업부 전무는 "평택 캠퍼스는 기존계획과 동일하게 진행된다"며 "올해 중반 가동을 시작하고 연말까지 단계적 증설한다"고 밝혔다. 이어 "고용량 V낸드플래시 기반 서버향 SSD(솔리드스테이트드라이브) 등을 위해 점진적으로 2D 생산능력을 V낸드플래시로 전환하겠다"고 덧붙였다. 중국 최대의 반도체 생산거점인 시안 공장의 2기 투자도 검토 중이다.

연간 올해 낸드플래시 빗그로스는 30% 성장, 삼성전자의 낸드플래시는 30% 초반대 성장을 예상하고 있다.

시스템LSI사업부도 화성에 10나노 생산라인을 신설하고, 기존 11라인 일부를 활용해 IT 기기 뿐 아니라 자동차 등으로 수요처가 확대되고 있는 CMOS이미지센서 라인을 짓는다.

허국 삼성전자 LSI사업부 상무는 "올해 4분기 화성캠퍼스 내 S3라인에 10나노 생산설비를 증설한다"며 "안정적인 10나노 양산체제를 구축할 예정"이라고 밝혔다. 이어 "14나노의 경우 중저가형 AP(애플리케이션 프로세서)와 기타 로직제품향 꾸준한 수요가 있어 기존 S1, S2 추가증설은 없이 탄력적으로 제품믹스를 운용할 계획"이라고 설명했다.

7나노 로직공정은 2019년부터 양산에 들어간다. 다만 양산시점은 고객의 요청사항과 시장변동에 따라 변동될 수 있다. 일전에 밝힌대로 7나노 공정에는 EUV(극자외선 노광장비)를 사용하기로 했다.

한편 삼성전자는 이날 1분기 시설투자로 9조8000억원을 집행했다고 밝혔다. 이가운데 반도체 5조원, 디스플레이 4조2000억원의 투자가 이뤄졌다. 

다만 올해 구체적인 투자규모는 밝히지 않았다. 삼성전자 측은 "올해 시설투자 계획은 아직 확정되지 않았으나, 3차원 V낸드와 시스템LSI, OLED(유기발광다이오드) 등을 중심으로 지난해 대비 투자가 대폭 늘어날 것"이라고 전망했다.


seeit@

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