'반도체 기술 중국 유출' 삼성전자 전직 임원·수석연구원 구속
- 김민수 기자
(서울=뉴스1) 김민수 기자 = 삼성전자와 하이닉스 반도체 임원을 지낸 반도체 전문가와 전직 삼성전자 수석연구원이 반도체 기술을 중국에 빼돌린 혐의로 구속됐다.
6일 경찰에 따르면 서울경찰청 산업기술안보수사대는 전날 삼성전자 및 하이닉스 반도체 부문 임원을 지낸 바 있는 최 모 씨(66)와 전직 삼성전자 수석연구원 오 모 씨(60)를 산업기술법 위반, 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 구속했다.
이들은 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술 코드명 '볼츠만'을 중국의 반도체 업체 청두가오전에 넘긴 혐의를 받는다.
청두가오전은 한국에서 삼성전자 임원, 하이닉스 부사장까지 지냈던 최 모 씨가 2021년 중국 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 세운 회사다.
앞서 경찰은 오 씨에 대해 지난 1월 구속영장을 신청했지만 기각됐다.
이후 경찰은 보완 수사를 거쳐 구속영장을 재신청했으며, 최 씨에 대한 영장도 함께 신청했다.
kxmxs4104@news1.kr
Copyright ⓒ 뉴스1. All rights reserved. 무단 전재 및 재배포, AI학습 이용금지.
