[IR]삼성전자 "범용 줄이고 선단공정 확대…차별화제품 집중"

(서울=뉴스1) 한재준 박주평 기자 = 김재준 삼성전자(005930) 메모리사업부 부사장은 31일 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "내년에 기존 라인의 공정 전환을 가속화해 레거시(범용) 제품 비중을 줄이고 선단공정 비중을 확대해 나갈 예정"이라며 "선단공정에 기반한 차별화 제품에 집중해 수익성 위주의 사업 포트폴리오로 경쟁력을 준비하겠다"고 밝혔다.

삼성전자는 "D램의 경우 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 판매를 더 확대하고 HBM4(6세대)는 내년 하반기 개발 및 양산을 진행할 예정"이라며 "레거시 라인에서 1b 나노 전환을 가속화해 시장 내 경쟁이 심화하는 구공정 기반의 DDR(더블데이터레이트)4 및 LP(저전력)DDR4 비중을 줄이고 서버향 128기가바이트(GB) 이상의 DDR5 모듈, 모바일·PC·서버향 LPDDR5X 등 하이엔드 제품 비중을 적극 확대할 것"이라고 했다.

이어 "낸드플래시는 서버 SSD(솔리드스테이트드라이브) 판매를 확대하고 64테라바이트(TB), 128TB SSD를 포함한 QLC 제품 기반의 고용량 트렌드로 적극 대응하겠다"고 덧붙였다.

hanantway@news1.kr