이창양 산업통상자원부 장관이 22일 서울 구로구 오스테오시스 회의실에서 대중(對中) 수출기업 현장 간담회를 주재하고 있다. (산업통상자원부 제공) 2022.7.22/뉴스1

이창양 산업통상자원부 장관은 25일 "첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한만큼, 반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이, 배터리, 미래 모빌리티 등 '반도체 플러스 산업'에 대한 경쟁력 강화방안을 순차적으로 수립해 적극 이행하겠다"고 밝혔다.

이 장관은 이날 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 3나노 파운드리 양산 출하식에 참석해 이같이 밝혔다. 이번 3나노 반도체 양산 성과는 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 달성한 것으로, 기존의 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 GAA(Gate-All-Around) 구조를 활용했다는 점에서 기술적 의의가 높다.

GAA 방식은 스위치(게이트)와 통로(채널) 4개면 접촉 방식으로, 기존 최신 공정인 핀(Fin) 구조(3개면 접촉) 대비 전력 50%, 면적은 35% 각각 줄였으며, 성능은 30% 높였다. 

국내 소부장 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발한 점을 고려하면, 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라는 평가가 나온다. 정부는 특히 첨단 반도체 제조시설은 국가 안보자산이기 때문에 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제안보 차원에서도 의미가 크다고 보고 있다.

이날 이창양 장관은 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체 산업계의 노력에 감사를 표하고, 앞으로도 3나노 공정이 높은 수율을 확보해 안정적으로 안착할 수 있도록 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아줄 것을 당부했다.

이 장관은 "지난주 발표한 반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라며 "이러한 노력이 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술 경쟁력 제고와 전문인력 양성에 기여할 것으로 기대한다"고 밝혔다.

이날 삼성전자 화성캠퍼스 V1라인에서 열린 이번 3나노 파운드리 양산 출하식에는 이 장관을 비롯해 경계현 대표이사를 비롯한 삼성전자 임직원, 반도체 소부장 팹리스 기업 관계자 등 100여명이 참석했다.


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